出口管制，是發(fā)達(dá)國家鉗制我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的殺手锏。2015年以前，美國限制出口等離子體刻蝕設(shè)備，令業(yè)界如鯁在喉。

打破這一封鎖的，是成立于2004年的中微公司（688012.SH）。憑借創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和不懈的技術(shù)攻關(guān)，研發(fā)量產(chǎn)了在技術(shù)指標(biāo)上和美國廠商不相上下的等離子體刻蝕設(shè)備。當(dāng)封鎖形同虛設(shè)，美國商務(wù)部不得不在2015年解除該項(xiàng)出口管制。

2020年，國內(nèi)5G、IoT等終端市場需求開始釋放，預(yù)計(jì)將在2025年形成超過1.1萬億元市場規(guī)模的5G手機(jī)市場。這必將促使上游擴(kuò)充產(chǎn)能，間接推動生產(chǎn)設(shè)備需求增長。一直不遺余力投入研發(fā)的中微公司，能否在國產(chǎn)替代的基礎(chǔ)上，抓住這一波產(chǎn)能擴(kuò)充的機(jī)遇？

獨(dú)力破除刻蝕機(jī)出口管制

“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”，產(chǎn)品迭代的前提是更新一代工藝；新工藝之所以可行，則仰賴于新一代半導(dǎo)體設(shè)備。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，上游負(fù)責(zé)提供軟件及知識產(chǎn)權(quán)、硬件設(shè)備和原材料，用以支撐半導(dǎo)體的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。中國要想在產(chǎn)業(yè)鏈中掌握關(guān)鍵技術(shù)，擁有核心競爭力，必須要有廠商能夠進(jìn)入這些賽道，并且能在技術(shù)指標(biāo)上與國際產(chǎn)品抗衡，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。

從產(chǎn)值上看，全球半導(dǎo)體設(shè)備的市場規(guī)模已有數(shù)百億美元之巨，最為關(guān)鍵的是，其決定了芯片的工藝水準(zhǔn)和產(chǎn)品參數(shù)，如杠桿一般撬動著年產(chǎn)值幾十萬億美元的信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。

隨著全球制造業(yè)的轉(zhuǎn)移和中國經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，中國已然成為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)和消費(fèi)市場。與龐大且增長迅速的市場規(guī)模相比，國產(chǎn)半導(dǎo)體在2018年的自給率僅為15%。根據(jù)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品從2015年開始就占據(jù)我國進(jìn)口商品總額第一的位置，超過原油和客機(jī)。

國產(chǎn)替代不僅能提升我國產(chǎn)業(yè)的核心競爭力，而且背靠國內(nèi)市場需求的堅(jiān)實(shí)支撐。因此，在加工設(shè)備賽道打破國際廠商技術(shù)壁壘和市場壟斷，成為國內(nèi)廠商努力的方向。

中微公司選擇的賽道是刻蝕設(shè)備。董事長尹志堯在Intel、LAM Research以及應(yīng)用材料公司供職20余年，主攻方向是等離子體刻蝕機(jī)的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

刻蝕是制造集成電路的關(guān)鍵工序之一：先對光刻膠進(jìn)行光刻曝光，然后再利用化學(xué)或物理方法去除硅片表面不需要的材料，從而在已經(jīng)涂膠的硅片上正確復(fù)制掩模圖形。

進(jìn)入21世紀(jì)，在美國硅谷已經(jīng)工作多年的尹志堯，既看到中國芯片產(chǎn)業(yè)的蓬勃潛力，更看到了芯片產(chǎn)業(yè)對中國崛起的戰(zhàn)略意義。年近六十的他毅然辭職回國，開始了創(chuàng)業(yè)之路。

趕上國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)騰飛的尹志堯“如魚得水”，中微公司發(fā)展迅速。

考慮到技術(shù)難度相對較低，中微創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)先瞄準(zhǔn)用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度較高材料的電容性等離子體刻蝕設(shè)備；2012年，進(jìn)一步推出了電感性等離體刻蝕設(shè)備，正式殺入單晶硅和多晶硅刻蝕賽道。

目前，中微公司已經(jīng)成功開發(fā)了包括單反應(yīng)臺和雙反應(yīng)臺在內(nèi)的三代CCP刻蝕機(jī)產(chǎn)品，以及單反應(yīng)臺的ICP刻蝕設(shè)備，形成了較為完備的產(chǎn)品線。中微公司的產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到了國際先進(jìn)水平，更是使得西方國家的出口管制“多此一舉”。2015年，美國商務(wù)部宣布解除對我國等離子體刻蝕設(shè)備的出口管制，既是對中微公司技術(shù)和產(chǎn)品實(shí)力的肯定，也是對中國半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)替代進(jìn)程的確認(rèn)。

能否支持更小制程芯片的刻蝕工藝，是衡量刻蝕設(shè)備技術(shù)水平高低的重要維度。

制程是衡量集成電路精細(xì)度的主要指標(biāo)。制程越小，元器件之間的距離越小，晶體管間的電容越低，它們的開關(guān)頻率也就更高。最終讓芯片運(yùn)算速度更快的同時更加省電。

如今，主流芯片制程已經(jīng)向7nm和5nm發(fā)展。而中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備，已經(jīng)在65nm到7nm的刻蝕加工上實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，部分7nm甚至5nm的刻蝕應(yīng)用已經(jīng)進(jìn)入客戶端驗(yàn)證的階段。

值得一提的是，國際廠商的晶圓加工設(shè)備為了保證加工精度，普遍采用單反應(yīng)臺的方式。中微公司掌握的雙反應(yīng)臺高產(chǎn)出率技術(shù)，讓設(shè)備的高輸出量等離子體反應(yīng)腔，能同時加工2片晶圓，在提高產(chǎn)出率的同時降低了設(shè)備的生產(chǎn)成本。

之所以能夠掌握關(guān)鍵技術(shù)，得到臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子等一流集成電路廠商的青睞，是因?yàn)橹形⒐驹谘邪l(fā)上的高額投入。從2016年到2018年，中微公司研發(fā)投入共計(jì)10.37億元，占三年總營收的32.2%。

在刻蝕設(shè)備國產(chǎn)替代的進(jìn)程中，中微公司功不可沒。

（來源：億歐）