旨在生產(chǎn)過(guò)程中盡量少產(chǎn)生靜電荷。為此從工藝流程、材料選擇、設(shè)備安裝和操作管理等方面采取措施，控制靜電的產(chǎn)生和積聚，抑制靜電電位和靜電放電的能力，使之不超過(guò)危害程度。如在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，當(dāng)高速器件的淺結(jié)形成工序完成后，對(duì)沖洗用的去離子水的電阻率就必須控制。雖然電阻率越高，潔凈效果越好，但電阻率越高，在芯片上產(chǎn)生的靜電就越高。因此一般要控制在了略高于8MΩ的水平，而不能是初始工序用的16-17MΩ。還有在材料選擇上，包裝材料要采用防靜電材料，盡量避免未經(jīng)處理的高分子材料。

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